一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法

公开号：CN1793231

申请人：上海电器科学研究所（集团）有限公司

本发明涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其成分配比为：均苯四甲酸二酐以质量计占30％、4.4/一二氨基二苯醚以质量计占30％、二甲基乙醚胺以质量计占15％、正硅酸乙酯以质量计占5％、甲基三乙氧基硅烷以质量计占6％、异丙醇铝以质量计占4％、N－甲基1－2吡咯烷酮以质量计占适量；其制备方法是：聚酰胺酸在搅拌下加入正硅酸乙酯硫酸铝、水和催化剂制得混合溶液，再亚胺化，可以制得自支撑膜，将聚酰胺酸与三乙胺作用，以甲醇为溶剂进行溶胶－凝胶化反应，可得到含20％Al2O3.SiO2的透明薄膜，采用二胺制得功能化的聚酰胺酸，达到 70％仍可得到透明薄膜用苯基三乙基硅氧烷(PTEO)代替TEOS得到SiO2 含量45％且相容性良好的透明薄膜，在溶胶－凝胶化过程中加入少量偶联剂有效地增加两相的相容性。