一种真空绝缘结构

公开号：CN1841572

申请人：中国科学院电工研究所

本发明特别涉及真空脉冲功率技术领域耐受脉冲电压作用的绝缘结构。其特征在于在基体绝缘材料[1]需耐受真空脉冲电压的与真空接触的表面上设置复合膜层，复合膜层由低二次电子发射系数绝缘材料膜层[2] 和金属膜层[3]构成，绝缘材料膜层[2]位于基体绝缘材料[1]表面，金属膜层[3] 可嵌入基体绝缘材料[1]或嵌入绝缘材料膜层[2]。与基体绝缘材料[1]及绝缘膜层[2]接触处设有过渡金属层[4]。本发明可改变绝缘材料沿面的电场分布，降低绝缘材料沿面的二次电子发射系数，抑制流注放电形式的产生，从而提高绝缘材料的真空沿面闪络电压。本发明可应用于复杂形状绝缘构件的与真空接触的表面，可显著提高其纵向绝缘或径向绝缘的真空沿面闪络场强。