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德州仪器推出新型集成NexFET技术降压转换器
发布时间:2011-04-08 09:12:56 发布人:电工材料网 新闻来源:中国低压电器网
    日前,德州仪器 (TI) 宣布,推出集成FET 的业界最小型、最高效率的降压转换器,可为电信、网络以及其它应用提供高达 25 A 的电流。

    25 A,14 V 的TPS56221 集成NexFET MOSFET且简单易用,与 SWIFT 开关转换器同步,可在12 V 输入至 1.3 V 输出的高负载条件下,同时实现超过 200W/in3的功率密度以及超过 90% 的效率,从而可在 500 kHz 开关频率下提供高达 25 A 的持续输出电流。最新 TPS56121 15 A、14 V 同步开关转换器与其它同类产品相比,不但可在 5 V 输入至 1.2 V 输出下将效率提高 3%,而且还可将开关速度提高 2 倍。

    TI 电源管理业务部高级副总裁 Sami Kiriaki 指出:“板装电源通常有很多电路,因而需要更高的功率密度与电源效率,尤其是那些在更强电流下工作的系统。这两款新产品既可将我们的 SWIFT 系列产品延伸至更强电流应用的领域,又可帮助我们的客户在功率密度、效率以及热管理方面有所突破,从而为终端设备实现更低的功耗和更高的可靠性。”
    TPS56221 与 TPS56121 采用热增强型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装,尺寸比其它分立式解决方案小 30% ,仅为 315 mm2。这两款器件是首批集成 TI NexFET 技术的产品,可提高热性能、保护功能、效率以及可靠性。它们不但提供 300kHz、500kHz 以及 1MHz 三种可选频率以实现更高的设计灵活性,而且还支持 4.5 V~14 V 的宽泛输入电压。

     TPS56221 与 TPS56121 的主要特性与优势:

    • 强电流与高效率: 4.5 V~14 V 输入电压时,在 25 A 与15 A 峰值负载电流下,效率可超过 90%;
    • 小尺寸与更高功率密度:总体解决方案尺寸仅为315 mm2,可将封装最大限度地缩小,同时实现超过 200 W/in3 的功率密度;

    NexFET 功率块支持多相位 50 A、100 A 及更强电流;
    除 SWIFT 转换器的强电流性能之外,TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆栈型 MOSFET 采用接地引线框架 SON 封装,支持高达 1.5 MHz 的频率,可降低热阻抗并简化布局。CSD86350Q5D在 25 A 电流下效率超过 90%,且还能与 TI 的 TPS40140 堆栈控制器相结合,在保持整个负载高效率的同时,支持多相位设计;其电流可扩展至 50 A、100 A 以及更高

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 发布人:电工材料网
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